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反滲透純凈水設(shè)備中加阻垢劑有什么好處?
來源:luanniu.cn 發(fā)布時(shí)間:2020年11月09日
反滲透膜是反滲透純凈水設(shè)備的關(guān)鍵設(shè)備。當(dāng)系統(tǒng)長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)運(yùn)行時(shí),水中的鈣和鎂血漿將不斷沉淀并粘附在反滲透膜的表面,形成水垢并阻塞膜孔,這將影響反滲透純凈水設(shè)備的效率。損壞反滲透膜。由于反滲透膜相對(duì)昂貴,因此應(yīng)在系統(tǒng)運(yùn)行期間添加定量系統(tǒng),并且應(yīng)向水中添加反滲透水阻垢劑,以延遲鈣和鎂離子的沉淀和膜表面結(jié)垢。
1.福州反滲透純凈水設(shè)備加阻垢劑的特點(diǎn):
①在大濃度范圍內(nèi)有效控制無機(jī)污垢。
②請(qǐng)勿與鐵的氧化鋁和硅化合物凝結(jié)形成不溶物。
③可有效控制硅的聚合和沉積,濃水一側(cè)的SiO2濃度可達(dá)到290ppm。
④可用于反滲透CA和TFC膜,納濾膜和超濾膜。
⑤較好的溶解性和穩(wěn)定性。
①絡(luò)合和增溶:反滲透阻垢劑溶解于水中后電離形成帶負(fù)電荷的分子鏈,與Ca2形成水溶性絡(luò)合物或螯合,從而增加無機(jī)鹽的溶解度,起到阻垢作用 。
②晶格畸變效應(yīng):反滲透阻垢劑分子中的部分官能團(tuán)在無機(jī)鹽晶體核或微晶上占據(jù)一定位置,阻礙和破壞了無機(jī)鹽晶體的正常生長(zhǎng),減慢了晶體的生長(zhǎng)速度,從而 減少鹽垢的形成。
③靜電排斥作用:反滲透阻垢劑溶于水并吸附在無機(jī)鹽的微晶上,增加了顆粒之間的排斥力,阻礙了顆粒的團(tuán)聚,并使它們保持良好的分散狀態(tài),從而防止或減少了水垢的形成。 。
④反滲透阻垢劑的功能類型和用途反滲透阻垢劑用于提高反滲透和納濾系統(tǒng)的性能。
⑤阻垢劑和分散劑是用于防止結(jié)晶礦物鹽沉淀和結(jié)垢的一系列化學(xué)試劑。
3.阻垢劑的功能:
①防沉淀功能:在具有阻垢劑的系統(tǒng)中,易結(jié)垢組分的陰離子,陽離子和陰離子開始沉淀時(shí)的離子產(chǎn)物值比沒有阻垢劑時(shí)的臨界沉淀離子產(chǎn)物值大得多。
②分散功能:當(dāng)有阻垢劑時(shí),沉淀顆粒比沒有阻垢劑的沉淀顆粒更小,因?yàn)槠淞捷^小。
③晶格變形效應(yīng):在含有阻垢劑的體系中析出的晶體呈球形,多面體和雪花狀。通常認(rèn)為,在晶體生長(zhǎng)過程中,阻垢劑被吸附在晶體生長(zhǎng)點(diǎn)上,使得表面的生長(zhǎng)速率急劇下降,并且生長(zhǎng)出具有不同形狀的晶體。
④低限作用:阻垢劑的用量比水中的阻垢劑要低得多,但也能顯示出阻垢作用。
1.福州反滲透純凈水設(shè)備加阻垢劑的特點(diǎn):
①在大濃度范圍內(nèi)有效控制無機(jī)污垢。
②請(qǐng)勿與鐵的氧化鋁和硅化合物凝結(jié)形成不溶物。
③可有效控制硅的聚合和沉積,濃水一側(cè)的SiO2濃度可達(dá)到290ppm。
④可用于反滲透CA和TFC膜,納濾膜和超濾膜。
⑤較好的溶解性和穩(wěn)定性。
⑥給水的pH值在5-10范圍內(nèi)有效。
①絡(luò)合和增溶:反滲透阻垢劑溶解于水中后電離形成帶負(fù)電荷的分子鏈,與Ca2形成水溶性絡(luò)合物或螯合,從而增加無機(jī)鹽的溶解度,起到阻垢作用 。
②晶格畸變效應(yīng):反滲透阻垢劑分子中的部分官能團(tuán)在無機(jī)鹽晶體核或微晶上占據(jù)一定位置,阻礙和破壞了無機(jī)鹽晶體的正常生長(zhǎng),減慢了晶體的生長(zhǎng)速度,從而 減少鹽垢的形成。
③靜電排斥作用:反滲透阻垢劑溶于水并吸附在無機(jī)鹽的微晶上,增加了顆粒之間的排斥力,阻礙了顆粒的團(tuán)聚,并使它們保持良好的分散狀態(tài),從而防止或減少了水垢的形成。 。
④反滲透阻垢劑的功能類型和用途反滲透阻垢劑用于提高反滲透和納濾系統(tǒng)的性能。
⑤阻垢劑和分散劑是用于防止結(jié)晶礦物鹽沉淀和結(jié)垢的一系列化學(xué)試劑。
3.阻垢劑的功能:
①防沉淀功能:在具有阻垢劑的系統(tǒng)中,易結(jié)垢組分的陰離子,陽離子和陰離子開始沉淀時(shí)的離子產(chǎn)物值比沒有阻垢劑時(shí)的臨界沉淀離子產(chǎn)物值大得多。
②分散功能:當(dāng)有阻垢劑時(shí),沉淀顆粒比沒有阻垢劑的沉淀顆粒更小,因?yàn)槠淞捷^小。
③晶格變形效應(yīng):在含有阻垢劑的體系中析出的晶體呈球形,多面體和雪花狀。通常認(rèn)為,在晶體生長(zhǎng)過程中,阻垢劑被吸附在晶體生長(zhǎng)點(diǎn)上,使得表面的生長(zhǎng)速率急劇下降,并且生長(zhǎng)出具有不同形狀的晶體。
④低限作用:阻垢劑的用量比水中的阻垢劑要低得多,但也能顯示出阻垢作用。
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